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金硅面壘型半導體探測器
描述:

我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導體探測器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點,適用于對能譜要求高的場合,如氡釷分析儀等,B 系列在A 系列的窗前鍍上一個保護層,克服了易損壞、窗不能擦試等缺點適用于對能量分辨率要求不高,作為放射性強度測量的探測器。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2025-11-21
  • 訪問量:6930
產(chǎn)品詳情/ PRODUCT DETAIL

標題:金硅面壘型半導體探測器

產(chǎn)品概述

我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導體探測器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點,適用于對能譜要求高的場合,如氡釷分析儀等,B 系列在A 系列的窗前鍍上一個保護層,克服了易損壞、窗不能擦試等缺點適用于對能量分辨率要求不高,作為放射性強度測量的探測器。

型號工作電壓

對比ORTEC

U-016-300-100 型

探測器

(Am-241 面源)

真空下測量能量分

辯率1.2%

對比ORTEC

U-016-300-100 型

探測器

(Am-241 面源)

真空下測量峰道址

202

A-AS205~300VDC大于1000204~206
A-AS265~300VDC大于1000204~206
B-AS205~300VDC大于1000189-191
B-AS265~300VDC大于1000189-191



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